氮化铝(AlN)陶瓷基片

热导率高，电性能好，热胀系数与Si片接近，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、半导体功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体制冷等产品中作高性能基片材料和封装材料。