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硫化镉(CdS)晶体
日期:2013-05-29 作者:
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硫化镉(CdS)晶体

II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

基本性质

化学分子式

CdS

晶向

<001>

晶体结构

六方

晶格常数

a=4.1367Åc=6.7161Å

生长方法

PVT

熔点

1287℃

密度

4.821g/cm3

热膨胀

4.6(x10-6/oC)

折射率

ho1.708he1.723

透过波段

2.5-15 (microns)

透过率

> 71%

标准尺寸

外延抛光基片 <001> ± 0.5o

单抛或双抛,Ra<5 Å

面内定向

10×10×0.5mm,10×5×0.5mm

10×3×0.5mm,5×5×0.5mm

 


 
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