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PMN-PT晶体
日期:2013-05-29 作者:
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PMN-PT晶体

用改进的Bridgman法生长出了高质量的大尺寸弛豫铁电单晶PMNT,该单晶具有优异的压电性能、非线性光学性能和热释电性能,不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料,而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体。本研究室提供高质量的PMN-PT晶体和基片。

基本性质

化学分子式

(PbMg0.33Nb0.67)1-x: (PbTiO3)x

 

晶向

<100>,<110>,<111>

 

晶体结构

赝立方

 

晶格常数

a=4.024Å

 

生长方法

Bridgman

 

熔点

1280℃

 

密度

8.1g/cm3

 

压电系数

d33

>2000 pC/N

轴接常数

k33(longitudinal mode)

>92%

 

kt(thickness mode)

59-62%

 

k33'(beam mode)

84-88%

介电常数

400-6000(at 1kHz after poling)

 

介电损耗

<0.9

 

居里温度

135-150℃

 

颜色

黄色透明

 

标准尺寸

外延抛光基片 <100>, <110>, <111> ± 0.5o

单抛或双抛,Ra<5 Å

面内定向

10×10×0.5mm,10×5×0.5mm

10×3×0.5mm,5×5×0.5mm

 


 
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