联系我们 | ENGLISH | 设为首页 | 加入收藏 | 合肥研究院 | 中国科学院  
科研成果
友情链接
您现在的位置:首页 > 科研成果 > 成果概况
SiO2单晶片
日期:2013-05-29 作者:
打印 字体大小: 关闭

SiO2单晶片

SiO2单晶水晶片是一种极好的基片用于无线通讯工业的微波滤波器,本中心可以为研究和工业生产提供高质量低价格的水晶片。

典型物理性质

晶体结构

六方 a= 4.914 Å c = 5.405 Å

生长方法

水热法

硬度

7.0 Mohs

密度

2.684 g/cm3

熔点

1610℃       ( 相转变点:573.1℃)

热容

0.18 cal/gm

热电常数

1200 mV /℃ @ 300 ℃

热导率

0.0033 cal/cm/ ℃

热膨胀系数

(x10-6/ ℃)

a11: 13.71       a33: 7.48

折射率

1.544

Q

声速,声表级

频率常数

压电偶合

1.8 x 106 min.

3160 ( m/sec )

1661 ( kHz/mm )

K2 (%) BAW: 0.65       SAW: 0.14

包裹物

IEC Grade II

标准水晶片规格

方向

Y, X Z 切:在30° ~ 42.75° ± 5分范围内旋转任意值

主定位边:根据客户要求定方向± 30

次定位边:根据客户要求定方向

籽晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm

抛光面

外延抛光:单抛或双抛Ra < 5 Å

工作区域:基片直径-3mm

弯曲度:φ3” < 20 umφ4”< 30 um

工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度< 0.5 mm

坑和划痕:每片<3,每100<20

标准厚度

0.5 mm ± 0.05mm TTV < 5 um

标准直径

φ2” (50.8mm )
φ3” (76.2mm lang=EN-US>)
φ4”(100mm) ±0.2 mm

主定位边:22 ± 1.5 mm (f 3” )
                  32 ± 3.0 mm ( f 4” )

次定位边:10 mm ±1.5 mm

 


 
皖ICP备05001008号   2009  中国科学院安徽光学精密机械研究所 版权所有 
地址:中国 安徽 合肥蜀山湖路350号
邮编:230031 电话:0551-65591539 传真:0551-65591539 电子邮件:aio@aiofm.ac.cn